3N163 SOT-143 4L


3N163_3N164_Datasheet
Код товару: 216612
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 3N163 SOT-143 4L за ціною від 157.40 грн до 402.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
3N163 SOT-143 4L ROHS 3N163 SOT-143 4L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_16b0cd64aa1a49ffb80d5837e5ec6517.pdf Description: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250Ohm @ 100µA, 20V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-143-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): -6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+157.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3N163 SOT-143 4L 3N163 SOT-143 4L Linear Integrated Systems, Inc. 3N163_3N164_Datasheet Description: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3N163 SOT-143 4L ROHS 3N163 SOT-143 4L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_16b0cd64aa1a49ffb80d5837e5ec6517.pdf Description: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250Ohm @ 100µA, 20V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-143-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): -6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5 pF @ 15 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.99 грн
10+260.00 грн
100+187.42 грн
500+174.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3N163 SOT-143 4L ROHS 7e8069_16b0cd64aa1a49ffb80d5837e5ec6517.pdf
Виробник: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250Ohm @ 100µA, 20V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-143-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): -6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+157.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3N163 SOT-143 4L 3N163_3N164_Datasheet
Виробник: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3N163 SOT-143 4L ROHS 7e8069_16b0cd64aa1a49ffb80d5837e5ec6517.pdf
Виробник: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250Ohm @ 100µA, 20V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-143-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): -6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5 pF @ 15 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+402.99 грн
10+260.00 грн
100+187.42 грн
500+174.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.