CIGW252010EH4R7MNE

CIGW252010EH4R7MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGW252010EH4R7MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 150MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.2A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.4 A
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.17 грн
6000+ 9.49 грн
15000+ 9.18 грн
30000+ 8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGW252010EH4R7MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 150MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 150mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 2.2A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 4.7 µH, Current Rating (Amps): 1.4 A.

Інші пропозиції CIGW252010EH4R7MNE за ціною від 8.96 грн до 29.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CIGW252010EH4R7MNE CIGW252010EH4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGW252010EH4R7MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 150MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.2A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.4 A
на замовлення 48714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.02 грн
16+ 19.88 грн
25+ 18.37 грн
50+ 15.79 грн
100+ 13.93 грн
250+ 13.5 грн
500+ 11.86 грн
1000+ 9.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
CIGW252010EH4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics Samsung_11182021_CIGW252010EH4R7MNE-2885793.pdf Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,4.7uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.01 грн
16+ 21.2 грн
100+ 13.95 грн
1000+ 10.34 грн
3000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
4,7uH 20% 1008 (CIGW252010EH4R7MNE)
Код товару: 183663
Індуктивності, дроселі > Індуктивності SMD інші
товар відсутній
CIGW252010EH4R7MNE CIGW252010EH4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics cigw252010eh4r7mne_1.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.4A 0.15Ohm DCR 1008 T/R
товар відсутній