Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 4N25TM ON Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції 4N25TM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 4N25TM | Vishay Semiconductor |
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 4N25TM |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.



