
4N26VM ONSEMI

Description: ONSEMI - 4N26VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 4N26VM ONSEMI
Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm), Output Type: Transistor with Base, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 100°C, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V, Input Type: DC, Voltage - Isolation: 4170Vrms, Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA, Vce Saturation (Max): 500mV, Supplier Device Package: 6-DIP, Voltage - Output (Max): 30V, Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs, Part Status: Obsolete, Number of Channels: 1, Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA.
Інші пропозиції 4N26VM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
4N26VM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
4N26VM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Transistor with Base Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V Input Type: DC Voltage - Isolation: 4170Vrms Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA Vce Saturation (Max): 500mV Supplier Device Package: 6-DIP Voltage - Output (Max): 30V Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs Part Status: Obsolete Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA |
товару немає в наявності |