Продукція > ONSEMI > 50C02MH-TL-E
50C02MH-TL-E

50C02MH-TL-E onsemi

50c02mh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 178450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3109+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3109
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 50C02MH-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 50C02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції 50C02MH-TL-E за ціною від 6.55 грн до 34.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
50C02MH-TL-E 50C02MH-TL-E Виробник : ONSEMI 2907276.pdf Description: ONSEMI - 50C02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.10 грн
32+27.09 грн
100+16.41 грн
500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
50C02MH-TL-E Виробник : onsemi 50C02MH_D-1801788.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 50V
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.29 грн
14+25.15 грн
100+14.93 грн
1000+8.38 грн
3000+7.62 грн
9000+6.70 грн
24000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
50C02MH-TL-E 50C02MH-TL-E Виробник : onsemi 50c02mh-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
50C02MH-TL-E 50C02MH-TL-E Виробник : onsemi 50c02mh-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.