Продукція > ONSEMI > 50C02SS-TL-E
50C02SS-TL-E

50C02SS-TL-E onsemi

en7519-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.4A 3SSFP
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Supplier Device Package: 3-SSFP
Frequency - Transition: 500MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-81
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.94 грн
17+17.86 грн
100+9.00 грн
500+6.89 грн
1000+5.11 грн
2000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 50C02SS-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 400mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-623, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції 50C02SS-TL-E за ціною від 3.44 грн до 14.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
50C02SS-TL-E 50C02SS-TL-E ON Semiconductor EN7519-D-1803748.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.4A 50V
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
50C02SS-TL-E 50C02SS-TL-E ONSEMI 2337900.pdf Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50C02SS-TL-E ON Semiconductor en7519-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.4A 200mW T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.80 грн
78+9.62 грн
85+8.87 грн
178+4.07 грн
250+3.73 грн
500+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50C02SS-TL-E EN7519-D-1803748.pdf
50C02SS-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.4A 50V
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
50C02SS-TL-E 2337900.pdf
50C02SS-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50C02SS-TL-E en7519-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.4A 200mW T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+14.80 грн
78+9.62 грн
85+8.87 грн
178+4.07 грн
250+3.73 грн
500+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.