Технічний опис 50MT060WH TOS
Description: IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.1 nF @ 30 V, Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA, Power - Max: 658 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 114 A, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: 12-MTP, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 12-MTP Module.
Інші пропозиції 50MT060WH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 50MT060WH | Виробник : International Rectifier |
 ``HALF-BRIDGE`` IGBT MTP, VCES = 600V, VCE(on)=2.3V, VGE=15V, Ic=50A Силові IGBT-модулі |
товару немає в наявності |
||
| 50MT060WH | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.1 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA Power - Max: 658 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 114 A IGBT Type: PT Supplier Device Package: 12-MTP NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: 12-MTP Module |
товару немає в наявності |