Продукція > ONSEMI > 55GN01CA-TB-E
55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E onsemi

55gn01ca-d.pdf Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3-CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-CP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 55GN01CA-TB-E onsemi

Description: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 4.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-CP.

Інші пропозиції 55GN01CA-TB-E за ціною від 4.52 грн до 31.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : onsemi 55GN01CA_D-2309938.pdf RF Bipolar Transistors SWITCHING DEVICE
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.34 грн
16+23.32 грн
100+12.63 грн
500+8.65 грн
1000+6.66 грн
3000+5.13 грн
9000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : onsemi 55gn01ca-d.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3-CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-CP
на замовлення 8317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.46 грн
18+18.34 грн
100+11.55 грн
500+8.08 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : ON Semiconductor 55GN01CA_D-2309938.pdf RF Bipolar Transistors SWITCHING DEVICE
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
55GN01CA-TB-E Виробник : ONSEMI 55gn01ca-d.pdf 55GN01CA-TB-E NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.