Продукція > ONSEMI > 55GN01CA-TB-E
55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E onsemi

55gn01ca-d.pdf Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3-CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-CP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 55GN01CA-TB-E onsemi

Description: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 4.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-CP.

Інші пропозиції 55GN01CA-TB-E за ціною від 4.28 грн до 29.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : onsemi 55GN01CA_D-2309938.pdf RF Bipolar Transistors SWITCHING DEVICE
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.72 грн
16+22.11 грн
100+11.97 грн
500+8.20 грн
1000+6.31 грн
3000+4.86 грн
9000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : onsemi 55gn01ca-d.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3-CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-CP
на замовлення 8317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.83 грн
18+17.39 грн
100+10.95 грн
500+7.66 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : ON Semiconductor 55GN01CA_D-2309938.pdf RF Bipolar Transistors SWITCHING DEVICE
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : ONSEMI 55gn01ca-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.2W; SC59
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SC59
Frequency: 3...5.5GHz
Collector-emitter voltage: 10V
Current gain: 100...180
Collector current: 70mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
55GN01CA-TB-E 55GN01CA-TB-E Виробник : ONSEMI 55gn01ca-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.2W; SC59
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SC59
Frequency: 3...5.5GHz
Collector-emitter voltage: 10V
Current gain: 100...180
Collector current: 70mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.