55GN01MA-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-MCP
Supplier Device Package: 3-MCP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 400mW
Gain: 10dB @ 1GHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 55GN01MA-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 55GN01MA-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 400 mW, 70 mA, SOT-323, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 70mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 55GN01MA-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
55GN01MA-TL-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G |
на замовлення 5548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 55GN01MA-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 55GN01MA-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 400 mW, 70 mA, SOT-323 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 186333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 55GN01MA-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G
на замовлення 5548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 55GN01MA-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 55GN01MA-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 400 mW, 70 mA, SOT-323
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 55GN01MA-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 400 mW, 70 mA, SOT-323
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)