55GN01MA-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-MCP
Supplier Device Package: 3-MCP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 400mW
Gain: 10dB @ 1GHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 55GN01MA-TL-E onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-MCP, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 3-MCP, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Power - Max: 400mW, Gain: 10dB @ 1GHz, Operating Temperature: 150°C (TJ).
Інші пропозиції 55GN01MA-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
55GN01MA-TL-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G |
на замовлення 5548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 55GN01MA-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G
на замовлення 5548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)