на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3712.20 грн |
| 10+ | 3393.52 грн |
| 26+ | 2844.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5962-8866205NA Renesas Electronics
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-CDIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Synchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-CDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції 5962-8866205NA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 5962-8866205NA | Виробник : E2V Aerospace and Defense(Teledyne) |
 SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 35ns 28-Pin CDIP |
товару немає в наявності |
||
| 5962-8866205NA | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Synchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-CDIP Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: Parallel Access Time: 35 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |