5HN01M-TL-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: MCP
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5HN01M-TL-H onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: MCP, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 5HN01M-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
5HN01M-TL-H | ON Semiconductor |
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 5HN01M-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)