Продукція > ONSEMI > 5HN01M-TL-H
5HN01M-TL-H

5HN01M-TL-H onsemi

5HN01M.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2 pF @ 10 V
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2959+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 5HN01M-TL-H onsemi

Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: MCP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 5HN01M-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
5HN01M-TL-H 5HN01M-TL-H Виробник : ON Semiconductor 5HN01M.pdf MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5HN01M-TL-H 5HN01M-TL-H Виробник : onsemi 5HN01M.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.