
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 292.25 грн |
10+ | 272.39 грн |
25+ | 264.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5KP110CA-B Littelfuse
Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 128.5V; 28.8A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; bulk; 5KP, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 5kW, Max. off-state voltage: 110V, Breakdown voltage: 128.5V, Max. forward impulse current: 28.8A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Kind of package: bulk, Manufacturer series: 5KP, Tolerance: ±5%, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 5KP110CA-B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
5KP110CA-B | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
5KP110CA-B | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
5KP110CA-B | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Diode: TVS; 128.5V; 28.8A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; bulk; 5KP Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 110V Breakdown voltage: 128.5V Max. forward impulse current: 28.8A Semiconductor structure: bidirectional Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Kind of package: bulk Manufacturer series: 5KP Tolerance: ±5% Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
5KP110CA-B | Виробник : Littelfuse Inc. | Description: TVS DIODE 110VWM 177VC P600 |
товару немає в наявності |
||
![]() |
5KP110CA-B | Виробник : Littelfuse | ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS Hi-Power Axial |
товару немає в наявності |
|
![]() |
5KP110CA/B | Виробник : YAGEO |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
5KP110CA-B | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Diode: TVS; 128.5V; 28.8A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; bulk; 5KP Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 110V Breakdown voltage: 128.5V Max. forward impulse current: 28.8A Semiconductor structure: bidirectional Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Kind of package: bulk Manufacturer series: 5KP Tolerance: ±5% Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |