на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.32 грн |
| 10+ | 180.28 грн |
| 100+ | 126.21 грн |
| 500+ | 110.93 грн |
| 800+ | 84.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5KP170A Littelfuse
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 5kW; 199V; 18.5A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 5kW, Max. off-state voltage: 170V, Breakdown voltage: 199V, Max. forward impulse current: 18.5A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 5KP170A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
5KP170A | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: TVS DIODE 170VWM 275VC P600 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
5KP170A | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC P600 |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
5KP170A | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC P600 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
5KP170A | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 5kW; 199V; 18.5A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 170V Breakdown voltage: 199V Max. forward impulse current: 18.5A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|
|
|
5KP170A | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 5kW; 199V; 18.5A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 170V Breakdown voltage: 199V Max. forward impulse current: 18.5A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |