5LN01C-TB-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 574961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3806+ | 5.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5LN01C-TB-E onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Supplier Device Package: SC-59-3/CP3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 5LN01C-TB-E за ціною від 7.56 грн до 7.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
5LN01C-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 7256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| 5LN01C-TB-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 5LN01C-TB-E - MOSFET, N-CH, 50V, 0.1A, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 574961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 5LN01C-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
||||||
|
|
5LN01C-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59-3/CP3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
5LN01C-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59-3/CP3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V |
товар відсутній |