5LN01C-TB-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5LN01C-TB-E onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Supplier Device Package: SC-59-3/CP3, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 5LN01C-TB-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
5LN01C-TB-E | ON Semiconductor |
MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 7256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 5LN01C-TB-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)