5LN01M-TL-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: MCP
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5LN01M-TL-H onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: MCP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 5LN01M-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
5LN01M-TL-H | ON Semiconductor |
MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 3577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 5LN01M-TL-H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 5LN01M-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 5LN01M-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)