Продукція > ONSEMI > 5LP01C-TB-H

5LP01C-TB-H onsemi


5LP01C.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2597+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 5LP01C-TB-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Supplier Device Package: SC-59-3/CP3, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 5LP01C-TB-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
5LP01C-TB-H 5LP01C-TB-H onsemi 5LP01C.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LP01C-TB-H 5LP01C-TB-H ON Semiconductor EN6619-D-120328.pdf MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LP01C-TB-H 5LP01C.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LP01C-TB-H EN6619-D-120328.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.