Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 5P40
5P40

5P40 Goford Semiconductor

5P40.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 5.3A SOT-23-3L
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.51 грн
15000+3.09 грн
30000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 5P40 Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 40V 5.3A SOT-23-3L, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 5P40 за ціною від 6.85 грн до 35.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
5P40 5P40 Виробник : Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40 Виробник : Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.28 грн
15+20.54 грн
100+13.02 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR 5P40.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -5A; 2W; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 14nC
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.