630A

630A Goford Semiconductor


GOFORD-630A.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.89 грн
10+ 44.63 грн
100+ 30.92 грн
500+ 24.24 грн
1000+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 630A Goford Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252.

Інші пропозиції 630A за ціною від 17.85 грн до 20.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
630A Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-630A.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.1 грн
15000+ 18.94 грн
30000+ 17.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
630A 630A Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-630A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
товар відсутній