630A Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.89 грн |
10+ | 44.63 грн |
100+ | 30.92 грн |
500+ | 24.24 грн |
1000+ | 20.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 630A Goford Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252.
Інші пропозиції 630A за ціною від 17.85 грн до 20.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
630A | Виробник : GOFORD Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
630A | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V |
товар відсутній |