630A Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.24 грн |
| 10+ | 57.22 грн |
| 100+ | 37.78 грн |
| 500+ | 27.62 грн |
| 1000+ | 25.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 630A Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 11A; 83W; TO252, Mounting: SMD, Power dissipation: 83W, Gate charge: 12nC, Polarisation: unipolar, Technology: Planar, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 200V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: TO252.
Інші пропозиції 630A за ціною від 22.60 грн до 25.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 630A | GOFORD Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 630A | GOFORD Semiconductor |
N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 630A |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.45 грн |
| 15000+ | 23.98 грн |
| 30000+ | 22.60 грн |
| 630A |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252
N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.45 грн |
| 15000+ | 23.98 грн |