Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > 64-2105PBF

64-2105PBF ROCHESTER ELECTRONICS

IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - 64-2105PBF - IRF1404ZPBF MOSFET N-CHANNEL SINGLE 40V
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
524+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 524
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 64-2105PBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 64-2105PBF за ціною від 48.33 грн до 48.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
64-2105PBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-Channel 40V 75A TO-262
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
629+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
64-2105PBF Виробник : Infineon Technologies nods.pdf MOSFET N-Channel 40V 75A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
64-2105PBF 64-2105PBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.