6A100GH Taiwan Semiconductor
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.10 грн |
| 10+ | 42.06 грн |
| 100+ | 25.33 грн |
| 500+ | 21.19 грн |
| 1000+ | 18.00 грн |
| 2000+ | 15.60 грн |
| 5000+ | 14.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 6A100GH Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: R-6, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: R-6, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 6A100GH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
6A100GH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |