
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 48.03 грн |
10+ | 40.26 грн |
100+ | 24.44 грн |
600+ | 18.93 грн |
1000+ | 15.19 грн |
10000+ | 14.97 грн |
25000+ | 14.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 6A10B-G Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6, Packaging: Bulk, Package / Case: R-6, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: R-6, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції 6A10B-G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
6A10B-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
6A10B-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |