 
6A10-G Comchip Technology
 Виробник: Comchip Technology
                                                Виробник: Comchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 1000V 6A R6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 500+ | 17.95 грн | 
| 1000+ | 12.21 грн | 
| 1500+ | 11.59 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 6A10-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 6A10, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023). 
Інші пропозиції 6A10-G за ціною від 11.61 грн до 56.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 6A10G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |  Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 6A10 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1149 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | 6A10-G | Виробник : Comchip Technology |  Description: DIODE STANDARD 1000V 6A R6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 225 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | 6A10-G | Виробник : Comchip Technology |  Rectifiers VR=1000 IO=6.0A | на замовлення 311 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | 6A10-G | Виробник : Comchip Technology |  Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | 6A10G | Виробник : Good-Ark |  Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600 | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | 6A10G | Виробник : Good-Ark |  Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600 | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | 6A10-G | Виробник : Comchip Technology |  Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | 6A10-G | Виробник : Comchip Technology |  Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo | товару немає в наявності | |||||||||||||
| 6A10G | Виробник : Taiwan Semiconductor |  Diode Switching Si 100V 6A 2-Pin Case R-6 | товару немає в наявності | ||||||||||||||
|   | 6A10G | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | 6A10G | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | 6A10G | Виробник : Taiwan Semiconductor |  Rectifiers 6A, 100V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | |||||||||||||
| 6A10G | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |  Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; R6; Ufmax: 1.1V; Ir: 10uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward impulse current: 0.4kA Case: R6 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 10µA | товару немає в наявності |