6A10-G Comchip Technology
Виробник: Comchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 18.5 грн |
| 1000+ | 14.48 грн |
| 2500+ | 12.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 6A10-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 6A10, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 6A10-G за ціною від 11.03 грн до 86.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
Rectifiers VR=1000 IO=6.0A |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
6A10G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 6A, 100V, Standard Recovery Rectifier |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
6A10G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 6A10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
6A10G | Виробник : Good-Ark |
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
6A10G | Виробник : Good-Ark |
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 6A10G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching Si 100V 6A 2-Pin Case R-6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 6A10G | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; R6; Ufmax: 1.1V; Ir: 10uA Mounting: THT Case: R6 Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 10µA кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
6A10G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
6A10G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 6A10G | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; R6; Ufmax: 1.1V; Ir: 10uA Mounting: THT Case: R6 Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 10µA |
товар відсутній |