
6A10-G Comchip Technology

Description: DIODE STANDARD 1000V 6A R6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 18.27 грн |
1000+ | 14.67 грн |
1500+ | 14.07 грн |
2500+ | 13.12 грн |
3500+ | 13.04 грн |
5000+ | 12.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 6A10-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 6A10, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 6A10-G за ціною від 3.57 грн до 101.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 4112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 5457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
6A10G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 6A10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
6A10G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
6A10G | Виробник : LGE |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
6A10G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
6A10G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
6A10-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
6A10G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
6A10G | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; R6; Ufmax: 1.1V; Ir: 10uA Case: R6 Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 10µA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Mounting: THT кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
6A10G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
6A10G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
6A10G | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; R6; Ufmax: 1.1V; Ir: 10uA Case: R6 Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 10µA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated Mounting: THT |
товару немає в наявності |