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Технічний опис 71016S12YG8 Renesas / IDT
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423990, Bauform - Speicherbaustein: SOJ, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 12ns, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції 71016S12YG8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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71016S12YG8 | RENESAS |
 Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423990 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 12ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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71016S12YG8 | RENESAS |
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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71016S12YG8 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 71016S12YG8 |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 71016S12YG8 |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 71016S12YG8 |
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Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)