71256L35TDB Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-CDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 71256L35TDB Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-CDIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-CDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції 71256L35TDB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 71256L35TDB | Виробник : IDT |
SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
товару немає в наявності |