71256SA25TPGI Renesas Electronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 466.03 грн |
| 10+ | 418.91 грн |
| 28+ | 357.68 грн |
| 56+ | 354.74 грн |
| 112+ | 318.10 грн |
| 252+ | 316.63 грн |
| 504+ | 302.71 грн |
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Технічний опис 71256SA25TPGI Renesas Electronics
Description: RENESAS - 71256SA25TPGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, DIP, 28 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 25ns, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 71256SA25TPGI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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71256SA25TPGI | RENESAS |
 Description: RENESAS - 71256SA25TPGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, DIP, 28 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: DIP Speicherdichte: 256Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 25ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| 71256SA25TPGI |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 71256SA25TPGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, DIP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 25ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: RENESAS - 71256SA25TPGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, DIP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 25ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)