71V416L10BEG Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 675.72 грн |
| 10+ | 602.86 грн |
| 25+ | 589.21 грн |
| 40+ | 549.99 грн |
| 80+ | 484.16 грн |
| 250+ | 460.13 грн |
| 500+ | 448.06 грн |
| 1000+ | 433.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 71V416L10BEG Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9), Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції 71V416L10BEG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
71V416L10BEG | Renesas Electronics |
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 71V416L10BEG |
|
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)