Продукція > RENESAS / IDT > 71V416L15BEGI

71V416L15BEGI Renesas / IDT

Виробник: Renesas / IDT
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

на замовлення 500 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 71V416L15BEGI Renesas / IDT

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 15 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції 71V416L15BEGI

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	71V416L15BEGI	Renesas Electronics Corporation	Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

71V416L15BEGI

Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.