| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 673.19 грн |
| 10+ | 611.42 грн |
| 25+ | 520.70 грн |
| 100+ | 465.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 71V416S10BEG Renesas / IDT
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9), Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції 71V416S10BEG за ціною від 658.19 грн до 949.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
71V416S10BEG | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGAPackaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
71V416S10BEG | Renesas Electronics |
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
на замовлення 205 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| 71V416S10BEG |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 884.70 грн |
| 10+ | 791.25 грн |
| 25+ | 766.85 грн |
| 50+ | 702.36 грн |
| 100+ | 685.19 грн |
| 71V416S10BEG |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 205 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 949.63 грн |
| 10+ | 869.62 грн |
| 25+ | 732.79 грн |
| 50+ | 715.24 грн |
| 100+ | 697.68 грн |
| 250+ | 675.01 грн |
| 500+ | 658.19 грн |




