Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > 71V416S10PHG8
71V416S10PHG8

71V416S10PHG8 Renesas Electronics Corporation

71v416sl
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+451.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 71V416S10PHG8 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423290, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit.

Інші пропозиції 71V416S10PHG8 за ціною від 522.80 грн до 734.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
71V416S10PHG8 71V416S10PHG8 Renesas Electronics Corporation 71v416sl Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8 71V416S10PHG8 RENESAS 71v416sl Description: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+683.07 грн
25+662.17 грн
50+599.95 грн
100+540.71 грн
250+522.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8 71V416S10PHG8 RENESAS 71v416sl Description: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+734.50 грн
10+683.07 грн
25+662.17 грн
50+599.95 грн
100+540.71 грн
250+522.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8 71V416S10PHG8 Renesas Electronics REN_71V416_DST_20210526.pdf SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8 71v416sl
71V416S10PHG8
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+612.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8 71v416sl
71V416S10PHG8
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+683.07 грн
25+662.17 грн
50+599.95 грн
100+540.71 грн
250+522.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8 71v416sl
71V416S10PHG8
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+734.50 грн
10+683.07 грн
25+662.17 грн
50+599.95 грн
100+540.71 грн
250+522.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8 REN_71V416_DST_20210526.pdf
71V416S10PHG8
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.