
71V416S15PHGI8 Renesas Electronics Corporation

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 484.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 71V416S15PHGI8 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - 71V416S15PHGI8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції 71V416S15PHGI8 за ціною від 374.00 грн до 731.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
71V416S15PHGI8 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
71V416S15PHGI8 | Виробник : RENESAS |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
71V416S15PHGI8 | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
71V416S15PHGI8 | Виробник : RENESAS |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
71V416S15PHGI8 |
![]() |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |