Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > 71V424S10PHG
71V424S10PHG

71V424S10PHG Renesas Electronics Corporation

71v424-data-sheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+656.35 грн
10+561.07 грн
25+535.15 грн
40+490.15 грн
135+460.20 грн
270+443.91 грн
540+421.16 грн
945+409.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 71V424S10PHG Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - 71V424S10PHG - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 71V424S10PHG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
71V424S10PHG 71V424S10PHG Renesas Electronics Renesas-Electronics-1996238.pdf SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V424S10PHG 71V424S10PHG RENESAS 71v424-data-sheet Description: RENESAS - 71V424S10PHG - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V424S10PHG Renesas-Electronics-1996238.pdf
71V424S10PHG
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V424S10PHG 71v424-data-sheet
71V424S10PHG
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 71V424S10PHG - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.