71V424S12PHGI Renesas Electronics
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 726.02 грн |
| 10+ | 665.09 грн |
| 25+ | 556.35 грн |
| 50+ | 547.26 грн |
| 100+ | 526.04 грн |
| 270+ | 510.12 грн |
| 540+ | 473.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 71V424S12PHGI Renesas Electronics
Description: RENESAS - 71V424S12PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423290, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 12ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 71V424S12PHGI за ціною від 499.30 грн до 801.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
71V424S12PHGI | Виробник : RENESAS |
 Description: RENESAS - 71V424S12PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 VtariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 12ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
71V424S12PHGI | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|