8ETX06

8ETX06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


8ETX06_FP.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 8ETX06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції 8ETX06

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
8ETX06 8ETX06 Виробник : Vishay Semiconductors 8ETX06_FP.pdf Rectifiers RECOMMENDED ALT 78-VS-8ETX06-M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.