AO4832 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.82 грн |
18+ | 19.63 грн |
25+ | 17.57 грн |
46+ | 17.36 грн |
100+ | 16.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4832 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції AO4832 за ціною від 18.94 грн до 75.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO4832 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 423 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4832 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4832 TAO4832 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4832 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4832 TAO4832 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4832 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AO4832 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AO4832 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AO4832 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |