AUIRF3205Z INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AUIRF3205Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 169.58 грн |
| 10+ | 153.14 грн |
| 100+ | 123.26 грн |
| 500+ | 93.65 грн |
| 1000+ | 67.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF3205Z INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF3205Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AUIRF3205Z за ціною від 89.36 грн до 220.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRF3205Z | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |