AUIRF3205Z Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 202+ | 151.13 грн |
| 500+ | 144.03 грн |
| 1000+ | 135.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF3205Z Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF3205Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AUIRF3205Z за ціною від 126.29 грн до 249.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF3205Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
AUIRF3205Z | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
AUIRF3205Z | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |