BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2279.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM25GB120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM25GB120DN2 | Виробник : EUPEC |
MODULE |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSM25GB120DN2 | Виробник : module |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSM25GB120DN2 | Виробник : SIEMENS |
07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |