BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 2590.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BSM25GB120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM25GB120DN2 | Виробник : module |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |