BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BSM25GB120DN2 за ціною від 3926.66 грн до 3926.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM25GB120DN2 | Infineon Technologies |
BSM25GB120DN2 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| BSM25GB120DN2 | module |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
| BSM25GB120DN2 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM25GB120DN2 - BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSeuEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM25GB120DN2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BSM25GB120DN2
BSM25GB120DN2
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 3926.66 грн |
| BSM25GB120DN2 |
![]() |
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| BSM25GB120DN2 |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM25GB120DN2 - BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM25GB120DN2 - BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)

