BSR58,215

BSR58,215 NXP Semiconductors


30bsr56_57_58.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans JFET N-CH 40V 80mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSR58,215 NXP Semiconductors

Description: JFET N-CH 40V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Power - Max: 250 mW, Resistance - RDS(On): 60 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V.

Інші пропозиції BSR58,215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSR58,215 BSR58,215 Виробник : NXP USA Inc. BSR56,57,58.pdf Description: JFET N-CH 40V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V
товар відсутній