на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123W ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm.
Інші пропозиції BSS123W за ціною від 0.63 грн до 12.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS123W | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BSS123W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BSS123W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BSS123W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
BSS123W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
BSS123W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
BSS123W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| BSS123W | Виробник : YY |
100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
BSS123W | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
|||||||||
| BSS123W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
||||||||||
 |
BSS123W | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
BSS123W | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
BSS123W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
BSS123W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
 |
BSS123W | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR |
товар відсутній |
|||||||||
| BSS123W | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
BSS123W | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
BSS123W | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |