Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS123W
BSS123W

BSS123W ON Semiconductor

bss123w-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123W ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm.

Інші пропозиції BSS123W за ціною від 3.84 грн до 13.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123W BSS123W Виробник : ONSEMI bss123w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.40 грн
55+7.18 грн
100+6.35 грн
160+5.61 грн
435+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : ON Semiconductor bss123w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+11.55 грн
79+7.65 грн
157+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : ONSEMI bss123w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.68 грн
35+8.95 грн
100+7.62 грн
160+6.73 грн
435+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : ON Semiconductor 3660161620195853bss123w.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : ON Semiconductor bss123w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W Виробник : ON Semiconductor 3660161620195853bss123w.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : Taiwan Semiconductor bss123w_a2007.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98ABF99C49A80B8BF&compId=BSS123W.pdf?ci_sign=58da8ec160390b3b83e6e4191da6ac499650a975 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : onsemi bss123w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : onsemi bss123w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : onsemi / Fairchild BSS123W_D-2310195.pdf MOSFETs 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W Виробник : Taiwan Semiconductor bss123w-d.pdf MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98ABF99C49A80B8BF&compId=BSS123W.pdf?ci_sign=58da8ec160390b3b83e6e4191da6ac499650a975 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.