BUK7219-55A,118 Nexperia
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7219-55A,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2108 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7219-55A,118 за ціною від 45.54 грн до 131.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK7219-55A,118 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : Nexperia | MOSFET BUK7219-55A/SOT428/DPAK |
на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38mΩ Drain current: 39A Drain-source voltage: 55V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 250A Application: automotive industry Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38mΩ Drain current: 39A Drain-source voltage: 55V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 250A Application: automotive industry Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |