на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 8.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM11-400-E3/97 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.
Інші пропозиції BYM11-400-E3/97 за ціною від 7.37 грн до 36.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 1011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated |
на замовлення 12913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO213AB; Ufmax: 1.3V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DO213AB Capacitance: 15pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYM11-400-E3/97 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO213AB; Ufmax: 1.3V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DO213AB Capacitance: 15pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA |
товар відсутній |