BYM11-400-E3/97 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 16+ | 20.35 грн |
| 100+ | 13.86 грн |
| 500+ | 10.59 грн |
| 1000+ | 8.64 грн |
| 2500+ | 8.57 грн |
| 5000+ | 6.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM11-400-E3/97 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.
Інші пропозиції BYM11-400-E3/97 за ціною від 10.12 грн до 100.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BYM11-400-E3/97 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated |
на замовлення 17218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|