CSD18537NKCS Texas Instruments
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 35.59 грн |
2000+ | 35.23 грн |
5000+ | 34.3 грн |
10000+ | 31.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18537NKCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18537NKCS за ціною від 31.37 грн до 113.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Gate charge: 14nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments | MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Gate charge: 14nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 262 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CSD18537NKCS Код товару: 154964 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
товар відсутній |