
CSD18537NKCS Texas Instruments
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 35.33 грн |
2000+ | 34.98 грн |
5000+ | 34.05 грн |
10000+ | 31.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18537NKCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18537NKCS за ціною від 32.22 грн до 129.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18537NKCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 94W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD18537NKCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 94W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CSD18537NKCS Код товару: 154964
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |