CSD18537NKCS TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.63 грн |
| 17+ | 48.04 грн |
| 46+ | 45.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18537NKCS TEXAS INSTRUMENTS
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18537NKCS за ціною від 30.9 грн до 109.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18537NKCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 94W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
CSD18537NKCS Код товару: 154964 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18537NKCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
товар відсутній |