Інші пропозиції CSD18537NKCS за ціною від 37.59 грн до 122.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD18537NKCS | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CSD18537NKCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 94W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CSD18537NKCS | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CSD18537NKCS | Texas Instruments |
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD18537NKCS |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 44.11 грн |
| 2000+ | 43.67 грн |
| 5000+ | 42.51 грн |
| 10000+ | 39.33 грн |
| CSD18537NKCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 109.04 грн |
| 10+ | 61.92 грн |
| 50+ | 49.04 грн |
| 100+ | 44.52 грн |
| 500+ | 44.01 грн |
| CSD18537NKCS |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.78 грн |
| 50+ | 56.68 грн |
| 100+ | 50.65 грн |
| 500+ | 37.59 грн |
| CSD18537NKCS |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





