DS1245Y-70+ ANALOG DEVICES
Виробник: ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2937.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245Y-70+ ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1245Y-70+ за ціною від 2163.1 грн до 3132.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
04+ DIP |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
DIP |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1245Y-70+ | Виробник : Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245 кількість в упаковці: 11 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1245Y-70+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1kbSRAM; 128kx8bit; 5V; 70ns; EDIP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory: 1kb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 70ns Case: EDIP32 Kind of interface: parallel Mounting: THT Operating voltage: 5V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DS1245Y-70 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DS1245Y-70 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1kbSRAM; 128kx8bit; 5V; 70ns; EDIP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory: 1kb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 70ns Case: EDIP32 Kind of interface: parallel Mounting: THT Operating voltage: 5V |
товар відсутній |