DS1245Y-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3940.85 грн |
| 11+ | 3492.96 грн |
| 33+ | 3356.71 грн |
| 55+ | 3091.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245Y-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1245Y-70+ за ціною від 3320.12 грн до 4185.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245Y-70+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
04+ DIP |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
DIP |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245Y-70 | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245Y-70+ | Виробник : Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245 кількість в упаковці: 11 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245Y-70+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1kbSRAM; 128kx8bit; 5V; 70ns; EDIP32; parallel Mounting: THT Case: EDIP32 Operating voltage: 5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 70ns Kind of interface: parallel Memory: 1kb SRAM кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1245Y-70 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1245Y-70 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1245Y-70+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1kbSRAM; 128kx8bit; 5V; 70ns; EDIP32; parallel Mounting: THT Case: EDIP32 Operating voltage: 5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 70ns Kind of interface: parallel Memory: 1kb SRAM |
товару немає в наявності |