FDB2532 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 138.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB2532 onsemi
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 125.29 грн до 414.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 62400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 Код товару: 61087 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB2532 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|