FDB2532 ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 144.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB2532 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 125.67 грн до 323.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V N-Channel QFET Trench |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 406 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2532 Код товару: 61087 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDB2532 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
товар відсутній |