Продукція > ONSEMI > FDB2532
FDB2532

FDB2532 onsemi

FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+138.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB2532 onsemi

Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB2532 за ціною від 125.29 грн до 414.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+139.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+144.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+151.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+151.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+155.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+156 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+156.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+211.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+211.09 грн
5600+ 193.82 грн
11200+ 181.29 грн
16800+ 165.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 62400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+211.09 грн
15200+ 193.82 грн
30400+ 181.29 грн
45600+ 165.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+222.17 грн
500+ 161.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.49 грн
5+ 182.96 грн
14+ 173.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+282.25 грн
10+ 215.84 грн
25+ 215.01 грн
100+ 162.61 грн
250+ 149.08 грн
500+ 125.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2532 FDB2532
Код товару: 61087 		FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDB2532 FDB2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+303.96 грн
53+ 231.55 грн
100+ 175.12 грн
250+ 160.54 грн
500+ 134.93 грн
Мінімальне замовлення: 41
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.79 грн
5+ 227.99 грн
14+ 207.8 грн
800+ 205.09 грн
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+362.79 грн
10+ 232.65 грн
100+ 166.33 грн
FDB2532 FDB2532 Виробник : ONSEMI 2304212.pdf Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+363.25 грн
10+ 274.06 грн
100+ 222.17 грн
500+ 161.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2532 FDB2532 Виробник : onsemi / Fairchild FDI2532_D-2312233.pdf MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.04 грн
10+ 271.81 грн
25+ 235.63 грн
100+ 186.48 грн
250+ 185.76 грн
500+ 168.41 грн
800+ 151.79 грн